半导体行业点评：存储周期或逐渐筑底，供需平衡后有望重启增长

存储IC厂商2022年第三季度业绩与增速：三大DRAM厂商三星、海力士、美光第三季度DRAM营收分别为74亿、52.4亿、48亿美元，环比分别下滑34%、25.2%、23%；三大NANDFlash厂商三星、铠侠、海力士第三季度营收分别为43亿、28.3亿、25.4亿美元，相较于22Q2环比增速分别为-28.1%、-0.1%、-29.8%。
存储IC周期短期下行，中长期趋势持续向上。根据WSTS、中商产业研究数据，2017-2021年全球存储芯片市场规模分别为1240、1580、1064、1175、1538亿美元；预计2022年存储芯片的销售额为1555亿美元，同比增长1.1%；根据Yole数据，预计21-27年复合增长率8%，2027年达到2600亿美元以上但产业会随库存、需求、产能的变化而具有明显的周期性。当前在需求疲软的背景下减少资本支出或使周期逐步见底，复盘2019年内存周期，头部企业在2019年初开始减少资本支出，包含三星终止其平泽工厂的产能扩张，SK海力士2019年初预计资本支出将减少至55亿美元，美光2019年初预计将资本支出削减至30亿美元。
海外大厂调整资本开支，有望助力存储IC供需改善。受到低需求、经济下滑和地缘政治紧张局势的影响，根据CFM闪存市场数据，2022年Q3全球存储市场规模相较于Q2环比下降26.7%至316.38亿美元；2022年Q3全球DRAM市场规模相较于Q2环比下跌29.2%至178.13亿美元；2022年Q3全球NANDFlash市场规模相较于Q2环比下跌23.3%至138.25亿美元。根据TrendForce2022年8月发布的数据，2023年DRAM市场需求位同比成长预估只有8.3%，供给位成长约14.1%；NANDFlash预估需求位成长将达28.9%，而供给位成长约32.1%；但随着海外大厂陆续公告修正资本支出，供需有望持续改善，DRAM在美光率先宣布减产规划后，2023全年DRAM供过于求比例将由原先预估的11.6%，收敛至低于10%；NAND方面，在美光、铠侠供给位成长皆下修的情况下，2023全年供过于求比例将由原先预估的10.1%下降至5.6%；更多海外大厂因需求疲软导致收入下滑，或调整资本支出与产能规划，库存压力与价格跌幅有望收敛。
22Q4存储IC价格环比进一步下降，利空预期或筑底。在消费性产品需求疲软及旺季不旺的背景下，22Q3内存位消耗与出货量持续呈现季减，各终端推迟采购导致供货商库存压力提升或进一步导致价格跌幅扩大，但随着DDR5渗透率提升，PC与服务器的DRAM总ASP跌幅或缩窄。
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