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核心观点
SiC是突破性第三代半导体材料：与前两代半导体材料相比，以SiC制成的器件拥有良好的耐热性、耐压性和极低的导通能量损耗，是制造高压功率器件与高功率射频器件的理想材料。SiC下游应用包括新能源、光伏、储能、通信等领域。据Yole预计，全球SiC功率半导体市场规模将从2021年的11亿美元增长至2027年的63亿美元，CAGR超过34%。
下游需求旺盛，产品渗透率稳步提升：新能源汽车是SiC器件最大的下游应用市场。SiC器件能在缩减体积的情况下提高能量密度和工作稳定性，并支持高平台电压，有助于解决新能源车“里程焦虑”问题。据Yole预计，SiC新能源领域应用市场将以40%的CAGR从2021年的6.9亿美元增长至2027年的50亿美元。SiC功率器件的市场渗透率将有望在2024年突破10%,行业前景广阔且确定性强。
寡头垄断市场，产品供不应求：SiC产业链可分为上游衬底材料、中游外延生长、器件制造以及下游应用市场。虽然我国为全球最大的新能源汽车市场，但SiC器件生产制造能力距国际领先水平仍有较大差距。SiC上中游产业链多被美、日、欧等国企业垄断，外加近年来各国政府提高对新一代芯片研发制造的政策支持，使海外头部公司迅速扩张产能，快速占领市场。尽管近年来我国SiC企业发展迅速，但在关键技术节点上还有待突破，产品良率与性能均弱于海外竞品，短期内国产替代难度大。
公司推荐：Wolfspeed（WOLF.US）、OnSemi（ON.US）、STMicro（STM.US）、Infineon（IFNNY.US）、三安光电（600703.SH）、天岳先进（688234.SH）、斯达半导（603290.SH）
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