III-V族化合物半导体研究框架

我国化合物半导体产品逐步从小批量研发、向规模化、商业化生产发展。InP单晶方面，我国公司已经实现2-4英寸衬底批量产业化，北京通美已经具备小规模6英寸InP基底的生产条件。GaAs单晶方面，已经拥有2-6英寸GaAs晶体和衬底产品。
InP半导体产品受到5G、可穿戴、智能驾驶等下游需求推动，市场有望迅速增长。InP衬底因高光电转换效率、高传输效率等特性适用于5G通讯的光模块器件。而随着健康检测、智能驾驶渗透率提升，InP的渗透率有望进一步提升。
GaAs半导体市场多方位稳定增长。GaAs在LED领域市场占比较大，Mini/MicroLED技术的发展将极大促进未来GaAs半导体LED市场的增长。在射频和激光领域，受5G推动，GaAs半导体市场也将稳步增长。
建议关注相关产业链标的：北京通美（A22021）、三安光电（600703）
风险提示
半导体周期持续下行，贸易摩擦拉长周期下行的时间；
产品迭代速度较慢，国内竞争者迅速成长；
制造过程中核心设备和原材料遭到禁运，对生产造成不利影响。

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